半导体制造商ROHM推出6款沟槽闸结构SiC MOSFET「SCT3xxx xR系列」产品（耐压650V／1200V），适用於有高效率需求的伺服器电源、太阳能变流器及电动车充电站等应用。
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| 评估板结构 |
此次新研发的系列产品采用4引脚封装（TO-247-4L），可充分发挥SiC MOSFET本身的高速开关性能。与传统3引脚封装（TO-247N）相比，开关损耗可减少约35％，有助於大幅降低各类应用装置的功耗。
另外ROHM也已开始供应SiC MOSFET评估板P02SCT3040KR-EVK-001，其内建适合驱动SiC元件的ROHM闸极驱动器IC（BM6101FV-C）、各类电源IC及离散式产品，是一款容易进行元件评估的解决方案。
本系列产品已於2019年8月起以每月50万个的规模逐步投入量产（样品价格2,100日元起，不含税）。制造据点为ROHM Apollo Co., Ltd.（日本福冈）。
近年来随着AI和IoT的发展，云端服务的需求日益增加的同时，全球对资料中心的需求也随之成长。资料中心所用的伺服器正朝着大容量、高性能方向发展，因此降低功耗便成为必须面对的问题。另一方面，传统伺服器的功率转换电路中，主要是采用矽（Si）元件，但目前市场对损耗更低的SiC元件寄予更高的期??。尤其，与传统封装相比，采用TO-247-4L封装的SiC MOSFET，可降低开关损耗，因此有??用於伺服器、基地台、太阳能发电等高输出设备。
既2015年ROHM领先全球成功量产沟槽闸结构SiC MOSFET後，此次开发出650V／1200V耐压的低损耗SiC MOSFET，未来也会在开发各种革新性元件的同时，推出适合SiC驱动的闸极驱动器IC解决方案，降低各类设备的功耗。
特点
采用4引脚封装（TO-247-4L），开关损耗减少约35％
在传统的3引脚封装（TO-247N）中，源极引脚的电感成分易引起闸极电压下降，并延迟开关速度。
本次SCT3xxx xR系列所采用的4引脚封装（TO-247-4L），可分离电源源极引脚和驱动器源极引脚，因此可减低电感成分的影响，充分发挥SiCMOSFET高速开关的性能，还且还能够大幅改善导通损耗。且与传统产品相比，导通损耗和关断损耗合计约可减少35％的损耗。
产品阵容
SCT3xxx xR系列为采用沟槽闸结构的SiC MOSFET。此次新推出了共6款机型，其中包括3款650V的机型和3款1200V的机型。
应用范例
伺服器、基地台、太阳能逆变器、蓄电系统、电动车充电站等。
评估板资讯
SiC MOSFET评估板P02SCT3040KR-EVK-001中内建适合於驱动SiC元件的ROHM闸极驱动器IC（BM6101FV-C）、各种电源IC及离散式产品，可轻易进行评估。为了提供相同条件的评估环境，该评估板不仅可以评估TO-247-4L封装的产品，还能安装并评估TO-247N封装的产品。另外该评估板还可进行双脉冲测试、Boost电路、两电平逆变器、同步整流型Buck电路等评估。
