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宜特TEM材料分析技術達5奈米
[SmartAuto 編輯部 報導]   2016年06月22日 星期三 瀏覽人次: [11854]

隨半導體產業朝更先進製程發展之際,iST宜特材料分析(Material Analysis, MA)檢測技術再突破!宜特宣佈,TEM材料分析通過國際級客戶肯定,驗證技術達5奈米製程。

宜特以特殊TEM手法解析3D IC矽穿孔(TSV)製程應力分佈的成果。此成果將發表於2016 IEEE/IPFA研討會。
宜特以特殊TEM手法解析3D IC矽穿孔(TSV)製程應力分佈的成果。此成果將發表於2016 IEEE/IPFA研討會。

宜特近期不僅協助多間客戶在先進製程產品上完成TEM分析與驗證,其技術能量更深獲IEEE半導體元件故障分析領域權威組織IPFA(International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits, 積體電路失效分析論壇)肯定,連續數年通過大會審核,於期間發表最新研究成果。

宜特觀察發現,近年來,企業為了打造效能更高、功耗更低、體積更小的半導體元件以滿足現今智能產品之需求,各大廠在先進製程開發的腳步越來越快,已從前年20奈米、去年14奈米製程,陸續在今年往10奈米、7奈米製程進行量產準備;而多家半導體大廠,今年更已朝5奈米製程進行研發藍圖,因此帶動整個供應鏈的材料分析需求。

宜特表示,材料分析是宜特近年重要佈局項目。在產能方面,近三年,以倍增方式持續擴產;在技術方面,去年下半年材料分析技術達10奈米後,即陸續獲得重量級半導體客戶的委案。

宜特材料分析處處長 陳聲宇博士表示,5奈米製程是下一階段各半導體廠商的競逐場,宜特科技則在先進製程演進的過程,扮演最佳幕後推手,提供檢測驗證方案。目前已有國際級半導體客戶,朝5奈米製程邁進,宜特則維持24小時運作不間斷,以高端的設備規格與技術能量,完成客戶驗證分析需求。

陳聲宇進一步指出,然而,隨著摩爾定律在5奈米製程以下將面臨物理極限,業界也開始積極尋找微縮製程以外的解決方案,3D IC即為其中最受矚目的解決方案。此次在IPFA所發表的論文「先進TEM材料分析技術於3D IC矽穿孔(TSV)製程之應用」,即為針對3D IC製程中的分析需求,所提出的新穎分析手法。

陳聲宇說明,在3D IC製程中,熱應力的產生是一個很重要的議題,需精準的控制在可接受的程度內,否則將會影響產品的可靠度。宜特此次發表之論文,乃利用新穎的TEM分析技術,解析出3D IC製程結構的應力分佈,精確度可達數個奈米,將可協助客戶突破過往應力分析上的限制。

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