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ROHM推出超低导通电阻Dual MOSFET 适用于工控装置和基地台马达驱动
Dressing udstyr   2021年07月01日 星期四 浏览人次: [2610]

半导体制造商ROHM开发出适用于FA等工控装置和基地台(冷却风扇)24V马达驱动用内建二颗耐压±40V和±60V的Dual MOSFET「QH8Mx5/SH8Mx5系列(Nch+Pch)」。

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近年来,为了支援工控装置和基地台马达所使用的24V输入,驱动元件MOSFET需要考虑到电压变动所需的余裕度,所以要求要40V和60V的耐压能力。此外,在提高马达效率并缩减体积方面,对于MOSFET出现进一步降低导通电阻和高速切换的需求。

在此背景下,ROHM继2020年年底发布新一代Pch MOSFET*2之后,此次Nch再推出了采用新微细制程的第6代40V和60V耐压MOSFET。因此,使ROHM在支援24V输入的±40V和±60V耐压等级拥有了领先业界的Nch+Pch Dual MOSFET产品。此外,为了满足更广泛的市场需求,ROHM还研发出+40V和+60V耐压的「QH8Kxx / SH8Kxx系列(Nch+Nch)」,产品系列已达12款。

本系列产品采用ROHM全新制程,具备业界超低导通电阻,±40V耐压产品的导通电阻比一般品降低61%(Dual MOSFET的Pch部分比较),有助进一步降低各装置的功耗。此外,透过将二颗元件汇集到一个封装中,可减少安装面积进而达到装置小型化,还有助减少元件选择(Nch和Pch的组合)的时间。

本系列产品已于2021年3月开始暂以每月100万个的规模投入量产(样品价格 250日元/个,未税),也已开始于电商平台销售。

<新产品特点>

1.具备业界超低导通电阻

ROHM本次研发的Dual MOSFET产品中,采用全新制程±40V耐压产品,与一般品相比,Pch部分的导通电阻降低多达61%,Nch部分的导通电阻也降低达39%,有助降低应用装置功耗。

2. 发挥Dual MOSFET专属特性,有助装置小型化并缩短设计周期

在一个封装中内建二颗元件,有助装置小型化和减少元件选择时间。在小型化方面,如果将传统的Nch+Pch Dual MOSFET(SOP8)替换成新产品(TSMT8),安装面积可减少75%。

将本产品与具有丰富实绩的ROHM单相和三相无刷马达预设驱动IC相结合,可以进一步达成马达小型化、低功耗和静音驱动。并且全面支援以Dual MOSFET系列和预设驱动IC所组成的周边电路设计,提供满足客户需求的马达驱动解决方案。

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