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ST BCD制程技术获颁IEEE里程碑奖 长跑35年第十代即将量产
Dressing udstyr   2021年05月24日 星期一 浏览人次: [21837]

意法半导体(ST)宣布,电机电子工程师学会(Institute of Electrical and Electronics Engineering,IEEE)授予意法半导体IEEE里程碑奖,表彰ST在超级整合矽闸半导体制程技术领域的创新研发成果。ST的BCD技术可以单晶片整合双极制程高精密类比电晶体、CMOS制程高性能数位开关电晶体和高功率DMOS电晶体,满足高复杂度、大功率应用的需求。多年来,BCD制程技术已赋能硬碟驱动器、印表机和汽车系统等终端应用获得重大技术发展。

在意法半导体Agrate工厂的即时/线上揭牌仪式中,IEEE义大利分部人道主义活动委员会协调人暨前秘书Giambattista Gruosso,以及意法半导体总裁暨执行长Jean-Marc Chery共同揭开了IEEE里程碑牌匾。

ST率先采用单晶片整合双极型电晶体、CMOS电晶体和DMOS电晶体(BCD)的超级整合矽闸极制程,解决复杂、具大功率需求的应用设计挑战。首个BCD超级积体电路L6202可控制最高60V-5A的功率,开关频率300kHz。随後汽车、电脑和工业自动化也逐渐采用这项制程技术,让晶片设计人员能灵活、可靠地以单晶片整合功率、类比和数位讯号处理电路。

IEEE於1983年建立了里程碑计画,表彰独特的产品、服务或具影响力的论文和专利所带来的技术创新和卓越成就。每个里程碑奖都认可一项重要的技术成就,必须在IEEE提出的技术领域具备至少25年的发展,而且至少具备地区性的影响力。目前IEEE在全球审核并颁发了约220个IEEE里程碑奖。

80年代初期,意法半导体工程师开始寻找可靠的方法来解决各种电子应用问题,首先在一颗单晶片上整合了异质电晶体和异质二极体,随後更着眼於多个细分市场的客户需求,着力在数位逻辑的控制下提供数百瓦的电力,让控制逻辑技术得以顺利遵循摩尔定律。目标元件还将支援精密类比功能,并最大程度地降低功耗,无需使用散热器。

这些研发的最终成果就是新的整合矽闸技术BCD(双极、CMOS、DMOS),它利用复杂的连线方法在单个晶片上整合二极体、双极线性电晶体、复杂CMOS逻辑和多个DMOS功率电晶体。BCD首个晶片是L6202马达全桥驱动器,电压为60V,电流1.5A,开关频率300kHz,达到所有设计目标。

自推出BCD制程至今,ST已售出多达400亿颗矽闸多功率BCD元件/晶片,第十代BCD技术也即将开始量产。在欧洲和亚洲,这项BCD技术被广泛用於车子用系统、智慧型手机、家电、音讯放大器、硬碟、电源、印表机、微型投影机、照明、医疗设备、马达、数据机、显示器等。

意法半导体总裁暨执行长Jean-Marc Chery表示:「到现在,已经过去35年并经历了九次技术反覆运算,我们产出500万片晶圆,并售出400亿颗晶片仅去年一年就销售近30亿颗晶片。能够得到此一IEEE里程碑奖就意味着ST的BCD技术将被写进推动人类发展的科技史册,对此,我们的自豪无以言表。」

意法半导体IEEE里程碑奖的牌匾将放置於ST在义大利米兰市近郊之两个工厂的大门囗,包含Brianza的Agrate工厂和米兰的Castelletto,两间都曾经承担多矽闸多功率BCD开发运作。

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