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宜特TEM材料分析技术达5奈米
Dressing udstyr   2016年06月22日 星期三 浏览人次: [11344]

随半导体产业朝更先进制程发展之际,iST宜特材料分析(Material Analysis, MA)检测技术再突破!宜特宣布,TEM材料分析通过国际级客户肯定,验证技术达5奈米制程。

宜特以特殊TEM手法解析3D IC矽穿孔(TSV)制程应力分布的成果。此成果将发表于2016 IEEE/IPFA研讨会。
宜特以特殊TEM手法解析3D IC矽穿孔(TSV)制程应力分布的成果。此成果将发表于2016 IEEE/IPFA研讨会。

宜特近期不仅协助多间客户在先进制程产品上完成TEM分析与验证,其技术能量更深获IEEE半导体元件故障分析领域权威组织IPFA(International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits, 积体电路失效分析论坛)肯定,连续数年通过大会审核,于期间发表最新研究成果。

宜特观察发现,近年来,企业为了打造效能更高、功耗更低、体积更小的半导体元件以满足现今智能产品之需求,各大厂在先进制程开发的脚步越来越快,已从前年20奈米、去年14奈米制程,陆续在今年往10奈米、7奈米制程进行量产准备;而多家半导体大厂,今年更已朝5奈米制程进行研发蓝图,因此带动整个供应链的材料分析需求。

宜特表示,材料分析是宜特近年重要布局项目。在产能方面,近三年,以倍增方式持续扩产;在技术方面,去年下半年材料分析技术达10奈米后,即陆续获得重量级半导体客户的委案。

宜特材料分析处处长 陈声宇博士表示,5奈米制程是下一阶段各半导体厂商的竞逐场,宜特科技则在先进制程演进的过程,扮演最佳幕后推手,提供检测验证方案。目前已有国际级半导体客户,朝5奈米制程迈进,宜特则维持24小时运作不间断,以高端的设备规格与技术能量,完成客户验证分析需求。

陈声宇进一步指出,然而,随着摩尔定律在5奈米制程以下将面临物理极限,业界也开始积极寻找微缩制程以外的解决方案,3D IC即为其中最受瞩目的解决方案。此次在IPFA所发表的论文「先进TEM材料分析技术于3D IC矽穿孔(TSV)制程之应用」,即为针对3D IC制程中的分析需求,所提出的新颖分析手法。

陈声宇说明,在3D IC制程中,热应力的产生是一个很重要的议题,需精准的控制在可接受的程度内,否则将会影响产品的可靠度。宜特此次发表之论文​​,乃利用新颖的TEM分析技术,解析出3D IC制程结构的应力分布,精确度可达数个奈米,将可协助客户突破过往应力分析上的限制。

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